Активний передній фільтр гармонік
Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). Окрім динамічної компенсації гармонік, продукти APF також можуть компенсувати реактивну потужність, вирішуючи проблеми з якістю електроенергії, такі як коливання напруги та мерехтіння. У продуктах APF використовується -сучасна--технологія керування для повністю автоматизованого керування, що робить їх кращим вибором для усунення гармоній.
Опис продукції
SiC Active Harmonic Filter – це повністю цифровий пристрій усунення гармонік наступного-покоління, розроблений-нами власноруч. Порівняно з традиційною технологією, вона пропонує суттєві переваги, такі як швидший час відгуку, компактний розмір, розширені функціональні можливості, легке встановлення та обслуговування, а також просте введення в експлуатацію. Він може легко вирішувати проблеми з якістю електроенергії. APF динамічно компенсує гармоніки, ефективно вирішуючи такі проблеми, як низький коефіцієнт потужності та три-фазний дисбаланс у якості електроенергії.
Основний пристрій живлення використовує напівпровідниковий компонент наступного-покоління SiC Mosfet, який забезпечує частоту перемикання понад 100 кГц, високу щільність потужності, низькі втрати та високу ефективність із коефіцієнтом фільтрації гармонік до 97%. Він підтримує кілька режимів компенсації, включаючи гармоніки, реактивну потужність і три-фазний дисбаланс. PCBA повністю герметичний, що забезпечує захист від пилу, конденсату та сольових бризок. Пристрій пропонує гнучкі варіанти встановлення (на шафі-або на стіні-), а обслуговування є простим.
Особливості продукту
Технічний паспорт
| Електричні параметри | |
| Спосіб розводки | Три-фаза три-провід, три-фаза чотири-провід |
| Робоча напруга | 380V/220V±20% |
| Робоча частота | 50/60 Гц, ±10% |
| Технічні характеристики продукції | 30A, 50A, 75A, 100A, 150A |
| Технічні характеристики трансформатора струму | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Шум | <65 дБ |
| Технічні особливості | |
| Комутаційні пристрої | SiC Mosfet |
| Частота перемикання | >100 кГц |
| Способи відведення тепла | Інтелектуальне повітряне охолодження |
| Контроль розсіювання тепла | Адаптивне регулювання швидкості вентилятора |
| Функції захисту | Захист від перевищення струму на виході, захист від обмеження вихідного струму, захист від пере-температури, захист від перенапруги шини постійного струму, захист від зниженої напруги на вході змінного струму, захист від перенапруги на вході змінного струму, захист від збоїв системи керування, захист від пошкодження та від’єднання компонентів основного кола |
| Компенсаційна продуктивність | |
| Швидкість фільтрації гармонік | ＞97% |
| Загальна ефективність | Більше або дорівнює 99% |
| Втрата активної потужності | ＜1% |
| Діапазон фільтрації гармонік | Гармоніки від 2-ї до 50-ї можна індивідуально контролювати та налаштовувати. |
| Загальний час відповіді | <5 мс |
| Придушення резонансу | Активне гальмування |
| Інтерфейс дисплея | |
| Екран дисплея | 7-футовий повнокольоровий сенсорний екран |
| Мова | Китайська, англійська та настроювані мови. |
| Дисплей батареї | Відображає дані, включаючи коефіцієнт спотворення, коефіцієнт потужності, потужність, напругу та струм. |
| Інтерфейс зв'язку та тип протоколу | Протоколи RS485, TCP/IP, Modbus і передача даних на великі-відстані 4G. |
| Екологічні умови | |
| Робоча температура | -25 градусів ~+50 градусів |
| Відносна вологість | <95%, no condensation |
| Висота | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| інші | |
| Рівень захисту | Рейтинг IP20, інші рейтинги доступні за запитом. |
| Спосіб установки | Конфігурації для-кріплення в стійці,-настінного кріплення, вбудованої шафи. |
Q&A
Яка функція SiC Mosfet?
Здатність SiC МОП-транзисторів витримувати вищі напруги та струми дозволяє створювати менші та легші системи. Це невелике зниження разом із їх вищою ефективністю робить їх ідеальними для додатків, де використання простору та енергії має вирішальне значення.
SiC MOSFET чи igbt?
SiC MOSFET — це скорочення від silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-transistor. Si IGBT – це пристрої,-керовані струмом, які перемикаються струмом, що подається на клему затвора транзистора, тоді як MOSFET є напругою,-керованою напругою, що подається на клему затвора.
Популярні Мітки: активний передній кінець гармонік фільтр, Китай активний передній кінець гармонік виробники, постачальники, фабрика
Послати повідомлення
